Intel dringt in Nano-Bereich vor

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Entwicklertagung zeigt Horizonte der Chipfertigung auf

Nur noch mit Hilfe der Nanotechnologie können Halbleiterhersteller die Weiterentwicklung von Computerchips vorantreiben. Auf seiner Entwicklertagung zeigte Intel, wie es über die nächsten Jahre weitergehen könnte.

Vor fast 30 Jahren hatte der Halbleiterpionier Gordon Moore das nach ihm benannte “Mooresche Gesetz” formuliert: Alle zwei Jahre werde sich die Zahl der Transistoreinheiten auf einem Halbleiterchip verdoppeln, so die Faustregel des Experten. Jetzt ist die Industrie an einem Punkt angelangt, wo es besonderer Kniffe bedarf, damit sich die Entwicklung in die Zukunft übertragen lässt. Eine dieser Möglichkeiten besteht in der Verwendung so genannter Nanotubes – mikroskopisch kleiner röhrenartiger Gebilde aus Kohlenstoff. Diese Strukturen leiten den Strom deutlich besser als herkömmliches Silizium. Nach Intels Vorstellungen soll die Technik in etwa zehn Jahren einsatzreif sein. Auf der Entwicklerkonferenz erläuterten Chief Technology Officer Pat Gelsinger und Senior Vice President Sunin Chou die Strategien des Unternehmens zur Weiterentwicklung der Halbleitertechnik.

Neben den Nanotubes gehört der Einsatz von Licht mit extrem kurzen Wellenlängen dazu. Die Extreme Ultraviolet Litography dient dazu, die immer weiter schrumpfenden Halbleiterstrukturen auf optischem Wege auf die Kristalle aufzubringen. Während heute bei der Erstellung der für die Belichtung erforderlichen Fotomasken mit Licht von 248 Nanometer Wellenlänge gearbeitet wird, hat Intel bereits ein Projekt mit 13-Nanometer-Licht in der Mache. Weil dieses Licht gläserne Linsen nicht mehr durchdringt, wird dabei mit Hohlspiegeln projiziert. Die Technik soll ab 2007 serienreif sein.

Ebenfalls ab 2007 will Intel mit dreidimensionalen Triple-Gate-Transistoren die Leistungsfähigkeit der Chips weiter erhöhen. Durch das Verfahren wird die Oberfläche der Gates vergrößert, das ermöglicht Taktfrequenzen im Terahertz-Bereich.