Intels neue Speicher bald Wirklichkeit

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Intel und Numonyx – ein Joint Venture mit STMicroelectonics und auf Flash-Speicher spezialisiert – haben jetzt einen neuen Meilenstein in der Entwicklung der Phasenwechselspeicher erreicht. Diese neue Technologie verspricht eine hohe Speicherkapazität auf kleinem Raum.

Derzeit haben die Chips noch eine recht überschaubare Kapazität. Numonyx hat bereits 2006 ein Gerät mit 128 Mb angekündigt und Samsung erklärte im September, dass man an einem Chip mit 512 Mb arbeite. Die Massenproduktion jedoch rückt nach und nach in greifbare Nähe.

So konnten die Forscher die 64 Millionen Speicherzellen ‘verdrahten’, um so schnell den Zustand der Zelle (0 oder 1) ermitteln zu können. Dann ist es den Forschern gelungen, mehrere Schichten des Speichermaterials, einem bestimmten Glas, übereinander zu legen.

Phase-Change-Memory
Eine neue Verkabelung des Chips erlaubt schnellen Zugriff auf die Informationen. Mit einem neuen Herstellungsverfahren kann Intel nun auch mehrere Schichten übereinander legen und so die Kapazität des Phase-Change-Memory erhöhen.
Foto: Intel

Aber was soll die neue Phase-Change-Memory bringen? Die Speicher könnten günstig hergestellt werden. Zudem kann ein Rechner auf die Informationen in dem Chips sehr schnell und energieeffizient zugreifen. Außerdem hoffen die Hersteller mit dieser Technologie, die ressourcenzehrende Priosierung von Speicher und Storage, die ein Betriebssystem ständig leisten muss, aufheben zu können. Die Frage, welche Informationen in den Arbeitsspeicher und welche auf die Festplatte geschrieben werden, würde sich mit Phase-Change-Memory eventuell umgehen lassen.

Neben Intel und Numonyx forschen auch das Start-up Ovonyx sowie die Hersteller IBM, Samsung und Philips Electronics an dieser Technologie.

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