Neue Speichertechnik soll Flash ablösen

Motorola hat den weltweit ersten 4-Megabit Silizium-Nanokristall-Speicherbaustein vorgestellt. Die revolutionäre Speichertechnologie stellt eine potenzielle Nachfolgetechnologie für Flashspeicher auf Floating-Gate-Basis dar.

“Die erfolgreiche Demonstration lässt darauf hoffen, dass auf Silizium-Nanokristallen basierende Speicher in Zukunft problemlos und preisgünstig auf den heutigen Geräten gefertigt werden können”, heißt es bei Motorola.

Motorola hat die Testmatrix unter Verwendung eines 90-Nanometer-Prozesses auf 200 Millimeter-Wafern in Austin (Texas) hergestellt. Die Silizium-Nanokristall-Speicher gehören zu der neuen Klasse der Dünnfilm-Speicher. Die Speicherbausteine können kleiner, zuverlässiger und energiesparender als Flashspeicher auf Floating-Gate-Basis konstruiert werden. Flashspeicher lässt sich nach allgemeiner Ansicht nicht mehr auf kleinere Strukturen skalieren.

Die Forscher von Motorola wollen sich jetzt darauf konzentrieren, die Chipgröße weiter zu reduzieren. Bis 2004 sollen die Chips produktionsreif sein. “Speicher auf Silizium-Nanokristall-Basis besitzen das Potenzial, zum Ersatz für Flashspeicher zu werden, die auf breiter Front in Autos, Haushaltsgeräten, Handys und Industriesteuerungen eingesetzt werden”, frohlocken die Motorola-Manager.