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Samsung bringt 800 GByte-SSD für High Performance Computing

Samsung hat eine Solid State Drive mit einer Kapazität von 800 GByte vorgestellt, die für den Einsatz im Bereich High Peformance Computing (HPC) entwickelt wurde. Sie soll die Latenzzeiten von NVMe-SSDs um Faktor fünf reduzieren und vor allem die Speicherung von Cache-Daten und Log-Dateien beschleunigen.

Die sogenannte Z-SSD vom Typ SZ985 ist laut Samsung auch auf Künstliche Intelligenz, Big Data und das Internet der Dinge ausgerichtet. “Wir erwarten, dass wir mit der fortschrittlichen 800-GByte-Z-SSD erheblich zur Einführung einer neuen Generation von Supercomputing-Systemen in der nahen Zukunft beitragen”, sagte Jihman Han, Senior Vice President der Sparte Memory Product Planning & Application Engineering bei Samsung. Ziel sei es, die Datendichte und damit auch die Konkurrenzfähigkeit der Z-SSDs im Wachstumsmarkt der Premium-SSDs zu steigern.

Samsung Z-SSD. (Bild: Samsung)

Ihre hohe Geschwindigkeit erreicht die Z-SSD durch die Verwendung der namengebenden Z-NAND-Speicherchips, die eine zehnmal höhere Leseleistung bieten sollen als 3-Bit-V-NAND-Chips. Dem integrierten SSD-Controller stellt Samsung zudem 1,5 GByte LPDDR4-RAM zur Seite. Laut Samsung erreicht die Z-SSD so eine zufällige Leseleistung von 750.000 IOPS und eine Latenz von lediglich 16 Mikrosekunden, was einem Fünftel der Latenzzeit der NVMe-SSD PM963 entsprechen soll. Die zufällige Schreibgeschwindigkeit spezifiziert Samsung mit bis zu 170.000 IOPS.

Über einen Zeitraum von fünf Jahren verspricht Samsung zudem 30 Drive Writes per Day, also die Möglichkeit, die Z-SSD 30-mal pro Tag vollständig neu zu schreiben, was insgesamt 42 Petabytes oder 8,4 Millionen Filmen in Full-HD-Auflösung mit einer Größe von jeweils 5 GByte entspricht. Die mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen von zwei Millionen Stunden soll ebenfalls die hohe Zuverlässigkeit der neuen SSD unterstreichen.

Neben einer Version mit 800 GByte soll es auch ein Modell mit 240 GByte Speicher geben. Beide Varianten will Samsung auf der International Solid-State Circuits Conference vorstellen, die am 11. Februar in San Francisco beginnt. Zu Preisen und Verfügbarkeit machte das koreanische Unternehmen noch keine Angaben.

[mit Material von Cho Mu-Hyun, ZDNet.com]

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Redaktion

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