32-GByte-SO-DIMM: Samsung startet Massenfertigung von 10-Nanometer-Speicherzellen

Samsung hat mit der Massenproduktion des branchenweit ersten 32-Gigabyte-DDR4 im SO-DIMM-Format (Small Outline, Dual-in-Line Memory-Modul) begonnen. Die Module basieren auf der 10-Nanometer-Prozesstechnologie und bieten eine höhere Performance sowie einen geringeren Energieverbrauch.

Samsung sieht die Module in erster Linie für High-End-Gaming-Notebooks vor. “Unsere 32 GByte-DDR4-DRAM-Module ermöglichen beeindruckende Spieleerlebnisse auf Laptops mit noch nie da gewesener Intensität,” sagt Sewon Chun, Senior Vice President of Memory Marketing bei Samsung Electronics. “Wir werden auch in Zukunft das am weitesten entwickelte DRAM-Produktportfolio mit höherer Geschwindigkeit und Speicherkapazität für alle bedeutenden Marktsegmente einschließlich Premium-Laptops und PCs anbieten”. Vermutlich werden sich aber auch Hersteller mobiler Workstation über die neuen Module freuen. In diesem Segment werden deutlich höhere Ansprüche an die Größe des Arbeitsspeichers gestellt als bei Gaming-Laptops.

Gegenüber Samsungs 16-GByte-SO-DIMM, welches auf einem 8-Gigabit-DDR4-Memory im 20-Nanometer-Verfahren basiert und 2014 vorgestellt wurde, bietet das neue 32-GByte-Modul die doppelte Speicherkapazität und ist außerdem elf Prozent schneller sowie 39 Prozent energieeffizienter. Das Modul ist mit insgesamt 16 16-Gigabit-DDR4-DRAM-Chips (jeweils acht Chips auf der Vorder- und Rückseite) ausgestattet. Die Transferrate der neuen 32-GByte-Module entspricht mit DDR4/2666 exakt der Bandbreite, die auch aktuelle Prozessoren von AMD und Intel bieten.

Durch die höhere Energieeffizienz der neuen Moduele benötigt ein 64 GByte-Laptop mit zwei 32 GByte-DDR4-Modulen laut Samsung im aktiven Betrieb weniger als 4,6 Watt und im Idle-Modus unter 1,4 Watt. Damit reduziere sich der Leistungsverbrauch um etwa 39 Prozent gegenüber Laptops, die mit 16-GByte-Modulen bestückt sind.