Der Neubau soll Platz für die nächsten Produktgenerationen schaffen. Aixtron zählt zu den wichtigsten Herstellern von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie.
„Wir adressieren mit unseren Produkten die Megatrends Digitalisierung, Elektromobilität und Energieeffizienz und verzeichnen eine starke und stetig wachsende Nachfrage. Technische Innovationen und Produktentwicklungen, die die Bedürfnisse unserer Kunden passgenau adressieren, sind der Schlüssel für unseren Erfolg”, sagte Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der Aixtron SE, anlässlich der Bekanntgabe des Investitionsentscheids am Dienstag.
Die Bedeutung von Produktentwicklungen in der Halbleiter-Industrie zeige der Erfolg der neuen „G10“-Anlagengenerationen von Aixtron: Im ersten Jahr nach der Markteinführung erwartet der Anlagenbauer bereits mehr als 40 Prozent seines Jahresumsatzes mit dieser neuen Produktgeneration zu erzielen. Die neue Anlage für das Materialsystem Siliziumkarbid (G10-SiC) verzeichne bereits kurz nach ihrer offiziellen Vorstellung hohe Auftragseingänge und sorge im Jahr 2023 für einen weiteren Wachstumsschub, so Aixtron weiter.
Auch die neue Anlage für die Materialsysteme Gallium-Arsenid/Indium-Phosphit (G10-AsP) erfreue sich bereits im Jahr 1 nach ihrer Markteinführung einer starken Nachfrage. Die Anlage ermöglicht die Produktion von Micro LEDs und photonischen Bauelementen wie Lasern im industriellen Maßstab und auf Wafern mit bis zu 200mm Durchmesser. Noch in diesem Jahr soll eine G10-Anlage für Galliumnitrid (GaN) in den Markt eingeführt werden.
Den Angaben des Unternehmens zufolge haben die Materialsysteme SiC und GaN das Potential, die komplette Bandbreite der Leistungselektronik vollständig abzudecken – von der Elektromobilität über Technologien der erneuerbaren Energie bis zur Datenübertragung. Mit ihren Materialeigenschaften können sie in diesen Bereichen dafür sorgen, die weltweiten CO2-Emissionen deutlich zu reduzieren und der Elektromobilität zum Durchbruch zu verhelfen.
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