Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) – ein Pionier und weltweiter Anbieter von hochzuverlässigen Hochleistungs-Galliumnitrid-Leistungsumwandlungsprodukten (GaN) – kündigte heute die Bemusterung seines ersten Gen-V-Gerätes unter seiner geschützten Marke SuperGaNTM an. Der TP65H015G5WS, der neue Gen-V-Baustein von Transphorm, zielt auf den Markt für Elektrofahrzeuge (Electric Vehicles, EV) ab und bietet branchenführende Leistungsverbesserungen, einfache Designbarkeit und eine optimierte Kostenstruktur, die der SuperGaN-Gerätefamilie eigen ist. Insbesondere bietet die Gen-V-GaN-Lösung des Unternehmens den weltweit niedrigsten ON-Widerstand im Gehäuse und einen um 25 % geringeren Leistungsverlust im Vergleich zu Siliziumkarbid (SiC) in einem Standard-TO-247-3-Gehäuse, wodurch das Potenzial von GaN auf dem EV-Leistungsumwandlungsmarkt gestärkt wird.
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Lowest Rds(on) SuperGaN™ FET in a TO-247 package from Transphorm poised for growth in EV market. (Graphic: Business Wire)
Im März 2020 kündigte Marelli, einer der weltweit führenden unabhängigen Zulieferer für den Automobilsektor, eine strategische Partnerschaft mit Transphorm an, um gemeinsam an neuen, auf GaN basierenden Lösungen für die Leistungsumwandlung im Automobil-/EV-Bereich zu arbeiten, darunter On-Board-Ladegeräte (On-board Chargers, OBCs), DC/DC-Wandler und Antriebsstrang-Wechselrichter für Elektro- und Hybridfahrzeuge. Bis heute hat Marelli eine Kapitalinvestition von 4 Millionen USD in Transphorm getätigt und sich zu einer zusätzlichen Kapitalinvestition von 1 Million USD im ersten Quartal 2021 verpflichtet.
Dr. Joachim Fetzer, CEO, Electric Powertrain Marelli, kommentierte: „Die Demonstration von Transphorm, 10 Kilowatt Leistung aus einem diskreten GaN-Bauelement in einer Brückenkonfiguration zu erreichen, ist eine weitere Bestätigung des aufregenden Versprechens von GaN für Umrichter und Inverter für Elektrofahrzeuge. Im Rahmen unserer bereits angekündigten Partnerschaft werden wir die branchenführenden GaN-Bauelemente von Transphorm weiter evaluieren und gemeinsam an der Unterstützung einer mehrjährigen Produkt-Roadmap für EV-Systeme arbeiten.“
„Wir arbeiten weiter an der Innovation der SuperGaN-FET-Technologie von Transphorm, die jetzt den weltweit niedrigsten ON-Widerstand in einem Standard-TO-247-3-Gehäuse auf dem Markt bietet und für Elektrofahrzeuge und andere Anwendungen mit höherer Leistungsumwandlung vorgesehen ist. Dadurch können Kunden mit einem einzigen Gerät zweistellige Kilowatt-Werte erreichen und damit die Fähigkeit von GaN unter Beweis stellen, höhere Leistung, niedrigere Systemkosten und höhere Leistungsdichte zu bieten“, sagte Primit Parikh, COO und Co-Founder von Transphorm. „Unsere Gen-V-GaN-Plattform schafft neue Designmöglichkeiten für Leistungsebenen, für die bisher eine Parallelschaltung erforderlich war, und bietet dabei immer noch einen Wirkungsgrad von über 99 %.“
Die SuperGaN™-Technologie von Transphorm übertrifft Siliziumkarbid
In die SuperGaN-Gen-V-Plattform sind alle Erkenntnisse aus dem Vorgängermodell Gen IV eingeflossen: die patentierte Technologie der reduzierten Packungsinduktivität, die einfache Konstruierbarkeit und Ansteuerbarkeit (V.von 4 V für Störfestigkeit) und die Gate-Robustheit von +/- 20 Vmax zusammen mit einer vereinfachten und reduzierten Montagestruktur. In einem kürzlich in EEWorld veröffentlichten Artikel, „Pushing the Boundaries of High Voltage GaN Power Conversion“, wurde der TP65H015G5WS des Unternehmens mit einem ähnlichen widerstandsbehafteten Spitzen-SiC-MOSFET in einem Standard-TO-247-3-Gehäuse verglichen. Beide Bauelemente wurden mit bis zu 12 kW bei 70 kHz in einem synchronen Halbbrücken-Aufwärtswandler betrieben, wodurch der GaN-Baustein von Transphorm bis zu 25 % geringere Verluste aufwies.
Transphorm hat mit der Bemusterung des SuperGaN Gen V FET begonnen, einem 15-mΩ-650-V-Bauelement, das mit der heutigen Single-Chip-E-Moden-GaN-Technologie wegen seiner Gate-Sensitivität nicht verfügbar ist. Die Lösung entspricht dem niedrigsten R, der bei typischen SiC-MOSFETs in einem diskreten Gehäuse verfügbar ist, und ist in der Lage, je nach Zielanwendung mehr als 10 kW zu treiben, wie z. B. EV-OBCs und Antriebsstrang-Inverter, Stromversorgungen für rackgespeiste Server in Rechenzentren, unterbrechungsfreie industrielle Stromanwendungen und erneuerbare Photovoltaik-Inverter. Das TP65H015G5WS wird auch für Modullösungen auf Die-Level erhältlich sein, die eine weitere Parallelschaltung für noch höhere Leistung ermöglichen. Das Unternehmen geht davon aus, dass sein Gen-V-FET-Gerät Mitte 2021 die JEDEC-Qualifizierung erhalten wird; die AEC-Q101-Qualifizierung wird danach erwartet.
Über Marelli
MARELLI ist einer der weltweit führenden unabhängigen Zulieferer für den Automobilsektor. Mit einer starken und etablierten Erfolgsgeschichte in den Bereichen Innovation und Produktion ist es unsere Mission, die Zukunft der Mobilität durch die Zusammenarbeit mit Kunden und Partnern zu transformieren, um eine sicherere, grünere und besser vernetzte Welt zu schaffen. Mit rund 60.000 Mitarbeitern weltweit umfasst die Präsenz von MARELLI 170 Einrichtungen und F&E-Zentren in Asien, Nord- und Südamerika, Europa und Afrika und erwirtschaftete im Jahr 2019 einen Umsatz von 13,4 Milliarden Euro (1.541 Milliarden JPY).
Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der größten Portfolios an geistigem Eigentum im Bereich Energie-GaN von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-zertifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geräte-Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovation in jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungssupport. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, 40 % mehr Energiedichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa.
Die SuperGaN-Marke ist eine eingetragene Marke von Transphorm, Inc. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.
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