Für einen Datenspeicher werden aber nicht nur zwei unterscheidbare Zustände für 0 und 1 gebraucht, sondern auch eine eindeutige “Adresse” für jede Speicherzelle, die von den optischen Schreib- und Leseeinheiten des Computers identifiziert werden kann. Dafür ist eine Schnittstelle notwendig, die die nanoskopischen Spinzustandsübergänge der molekularen Schalteinheiten mit der mikroskaligen Geräteumgebung in Einklang bringt. Dies kann gelingen, wenn die Spinübergangsverbindung in eine hochgeordnete Mikro- und Nanostruktur gebracht werden kann.
Mit speziellen Methoden gelang es dem Team, einen neutralen Eisen(II)-Komplex in Form feinster Linien auf eine Siliziumwafer zu “drucken” oder aufzutragen. In einem Selbstorganisationsprozess richten sich die Nanokristalle dabei in einer bevorzugten Orientierung entlang der Linie aus. Außerdem gelang es ihnen, das Muster einer bespielten CD in einen Film der Eisenverbindung zu übertragen. Das beweist zum ersten Mal, dass es möglich ist, mit einer Spinübergangsverbindung lesbare logische Muster zu erzeugen. Um die Streifenstrukturen technologisch nutzbar zu machen, muss der Umschaltvorgang allerdings an Raumtemperaturbedingungen angepasst werden. Nach den Angaben sind die Arbeiten dazu sind schon “in fortgeschrittenem Stadium”.
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