Fujitsu-Technik modernisiert Mobilfunkmasten

Wenn die Firma Fujitsu recht behält, werden Mobilfunkmasten künftig besser für die Anforderungen neuer Techniken wie UMTS (Universal Mobile Telecommunication System) ausgerüstet sein: mit GaN HEMT. Die neue Technik soll Strom sparen und dabei die Leistungsfähigkeit der Mobilfunkmasten erheblich steigern, heißt es aus dem japanischen Forschungszentrum in Kawasaki.

Dafür kommt ein hoch beschleunigender Transistor auf Gallium-Nitrit-Basis, einem stabileren Halbleitermaterial als Silizium, zum Einsatz (Gallium Nitrit High Electron Mobility Transistor, GaN HEMT). Er kann einen Output von 100 Watt oder mehr schaffen. Für die Hersteller von Mobilfunkmasten, die gute, aber stromsparende und sichere Verstärker brauchen, ist das eine echte Neuigkeit. Für Handyhersteller und -Nutzer ist interessant daran, dass die Technik eine gewisse Zukunftssicherheit für neue Übertragungsraten mitbringt, weil sie auch bei der noch nicht sehr verbreiteten UMTS-Technik noch einen gewissen Spielraum lässt.

Bislang war die GaN HEMT-Technik daran gescheitert, dass die höhere Abstrahlung einen Energieverlust und damit wieder einen höheren Energiebedarf nach sich zog. Dies Problem wollen die Fujitsu-Forscher durch die Schaffung isolierter Gates auf extra strukturierter HEMT-Oberfläche gelöst haben. Diese sorgen für kontrollierten Elektronenfluss. Somit reduziert sich das als Gate Leakage bezeichnete, energiefressende Phänomen auf ein Millionstel des bisher maximal Erreichten, sagen die Forscher.