Die vorgestellte Technologie wurde von IM Flash Technologies entwickelt, einem Joint Venture von Intel und Micron Technologies. Lese- und Schreibzugriffe für zukünftigen Flash-Speicher sollen um den Faktor fünf beschleunigt werden.
Der neue High-Speed-NAND soll nach Angaben beider Unternehmen Lesegeschwindigkeiten von bis zu 200 MByte pro Sekunde erreichen und Schreibgeschwindigkeiten von 100 MByte/s. Die Beschleunigung wird durch die Umsetzung der neuen ONFi-2.0-Spezifikation sowie einer Vier-Ebenen-Architektur mit höheren Taktraten erreicht. Konventioneller NAND-Speicher erreicht etwa 40 MByte/s beim Lesen und 20 MByte/s beim Schreiben.
“Wir arbeiten mit Partnern an der Entwicklung von Technologien, mit denen sich die verbesserte Performance nutzen lässt”, erklärte Frankie Roohparvar, Vizepräsident für NAND-Entwicklung bei Micron. “Micron fühlt sich der Weiterentwicklung von NAND verpflichtet um eine leistungsstarke Speicherlösung für Computer und Geräte der Konsumentenelektronik zu entwickeln.”
“Durch NAND-Speicher mit dem ONFi-2.0-Standard kann die Systemperformance durch Caching und Solid-State-Laufwerke verbessert werden”, meinte Pete Hazen, Marketingdirektor für NAND-Produkte bei Intel. Seiner Ansicht nach werden Produkte mit der neuen Speichertechnologie dabei helfen, die Möglichkeiten von High-Perfomance-Interfaces wie PCI-Express oder kommenden Standards wie USB 3.0 zu nutzen.
Als Anwendungsbeispiele nannten die beiden Unternehmen Hybrind-Festplatten, Speicher in HD-Videokameras oder externe USB-3.0-Speicher.
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