Crossbar, ein kalifornische Start-up, hat angekündigt, die Speichertechnik ReRAM (Resistive RAM) kommerziell zu vermarkten. Dieser nichtflüchtige Speichertyp gilt schon seit Jahren als mögliche Alternative zum Flash-Speicher und könnte diesen eines Tages ablösen.
Als Vorteile stellt ReRAM laut Crossbar bis zu einem Terabyte Speicherplatz auf einem einzigen Chip in Aussicht, und durch einfaches 3D-Stacking wären sogar mehrere TByte denkbar. Niedriger Energiebedarf könnte helfen, die Akkulaufzeit mobiler Geräte zu verlängern. Die Schreibgeschwindigkeit erreicht das 20-fache von NAND-Flash. Gleichzeitig ist eine relativ günstige Fertigung in einem CMOS-kompatiblen Verfahren möglich. Bei der erforderlichen Dice-Größe unterbietet es Flash gegenwärtig um die Hälfte.
Crossbar gibt eine zehnjährige Funktionsfähigkeit bei unter 125 Grad Celsius sowie 10.000 Schreibzyklen für jede Zelle an. ReRAM läge damit bei den Schreibzyklen vielfach höher als gegenwärtiger MLC-Flash, und mit den in der Flash-Welt entwickelten Techniken für eine längere Haltbarkeit könnte es diesen Vorsprung noch einmal wesentlich ausbauen.
Das Start-up wurde erst 2010 zur kommerziellen Umsetzung aktueller Speicherforschung gegründet. Es greift auf Forschungsergebnisse von Professor Wei Lu an der Universität von Michigan zurück, der Crossbar gründete und heute als CTO dafür tätig ist. Finanziert wurde das Unternehmen von mehreren Wagniskapitalgebern – darunter Kleiner Perkins, das für die frühe Finanzierung von Firmen wie AOL, Amazon, Citrix, Electronic Arts, Google und Zynga bekannt ist.
Crossbar-CEO George Minassian kündigte gegenüber der EE Times an, dass die ersten ReRAM-Produkte seines Unternehmens 2014 verfügbar werden und 2015 in Produkten wie Mikrocontrollern zur Verwendung kommen können. Innerhalb “weniger Quartale später” sollen Produkte mit hoher Speicherdichte folgen. Der Einsatz dieser Speichertechnik in Verbraucherprodukten ist demnach nicht vor 2016 zu erwarten.
[mit Material von Bernd Kling, ZDNet.de]
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