Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein Pionier und weltweiter Anbieter von hochzuverlässigen, leistungsstarken Galliumnitrid (GaN)-Energieumwandlungsprodukten – gab heute bekannt, dass seine GaN-Technologie in einem USB-C-PD/PPS-Stromadapter von Hewlett Packard verwendet wurde. Dieser Design-Gewinn festigt die GaN-FET-Technologie von Transphorm im Bereich der Adapter mit niedriger und mittlerer Leistung von 25 Watt bis 350 Watt.
Der Unterschied der SuperGaN®-Technologie
Das HP-Netzteil verwendet den SuperGaN Gen IV TP65H300G4LSG 650V GaN-FET von Transphorm. Die Technologie bietet die einfache Konstruierbarkeit und hohe Zuverlässigkeit bei hoher Leistung, die zum Synonym für GaN-Bauelemente von Transphorm geworden sind.
Darüber hinaus hat Transphorm vor kurzem über 100 Milliarden Stunden an Zuverlässigkeitsdaten im Feld ausgewertet, mit einer FIT-Rate (Failure-in-Time) von < 0,05. Diese Statistik umfasst ein breites Spektrum von Leistungsstufen, einschließlich unternehmenskritischer Anwendungen von 25 Watt bis 3,6 Kilowatt.
Zuvor wurde nachgewiesen, dass im Vergleich zu einem E-Mode-GaN-Bauelement mit größerem Die (z. B. 175 mOhm) der SuperGaN-FET von Transphorm mit kleinerem Die (d. h. 240 mOhm) einen geringeren Anstieg des Widerstandes (23 %) bei 150 °C und eine höhere Leistung bei 50 % und 100 % (voller) Leistung aufweist, was auf die inhärenten Leistungsvorteile der Plattform zurückzuführen ist.
„Dies ist ein wichtiger Design-Gewinn für Transphorm, da die Kunden die Vorteile unseres Engagements für Qualität und Zuverlässigkeit bei höchster Leistung sehen, die nun auch von Tier-1-Kunden wie HP angenommen werden“, sagte Tushar Dhayagude, VP, Field Applications & Technical Sales, Transphorm. „Unsere GaN-FETs sind unabhängig von Controllern mit integrierten und handelsüblichen Treibern, was zu einem einfachen Design und einer einfachen Ansteuerbarkeit führt, die immer wichtiger wird, da wir uns in verschiedenen Märkten sowohl im Low-Power- als auch im High-Power-Segment durchsetzen.“
Die HP-Zerlegung ist hier zu finden: https://www.chargerlab.com/teardown-of-hp-65w-dual-usb-c-gan-power-adapter/
Über Transphorm
Transphorm, Inc. ist ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution und entwickelt und produziert hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandlungsanwendungen. Transphorm verfügt über eines der größten Power-GaN-IP-Portfolios mit mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten und produziert die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovationen in jeder Entwicklungsphase: Design, Fertigung, Bauelemente und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und ermöglichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 40 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie unter www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.
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