Infineon hat einen neuen Rekord bei Silizium-Halbleitern aufgestellt: Erstmals sei es gelungen, eine Betriebsfrequenz von 110 GHz zu erreichen, teilt das Münchner Unternehmen mit.
Bisher waren vergleichbare Taktungen nur mit Halbleitern aus Gallium-Arsenid möglich. Infineon verwendet nach eigenen Angaben jetzt ein mit Germanium angereichertes Silizium. Schaltzeiten von 3,7 Picosekunden seien so realisierbar.
Infineon hofft, seine Entwicklung vor allem in der Kommunikationstechnik unterzubringen. Vor allem im Bereich Wireless-LAN und Richtfunk sei die Technik von Vorteil.
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