Intel schafft Durchbruch bei der Chip-Entwicklung

Kleiner, besser, schneller und vor allem weniger Stromverbrauch. Das sind die Themen, die Chip-Herstellern schlaflose Nächte bescheren. Jetzt hat Intel zusammen mit dem britischen Unternehmen Qinetiq einen entscheidenden Schritt für die Energieeffizienz von Transistoren gemacht.

Statt wie bisher Silizium verwenden die Forscher als Halbleiter nun eine Verbindung aus den Metallen Indium und Antimon. Die Struktur des Transistors bleibt dabei weitgehend bestehen. Vorteile sind aber, wie Intel mitteilt, die Verringerung des Stromverbrauchs in den Halbleitern um den Faktor 10. Die Leistung der neuen Chips konnte hingegen um 50 Prozent erhöht werden.

Die beiden Elemente haben wegen der Nähe im Periodensystem sehr ähnliche Charakteristika wie Silizium, reagieren aber dennoch unterschiedlich. Ein wichtiger Punkt ist auch, dass die beiden Elemente in einem ähnlichen Produktionsverfahren verarbeitet werden können.

Für die Tests hat Intel die Transistoren auf eine Schicht Gallium-Arsenid gepackt. Ein teures Halbleitermaterial, das derzeit in sehr wenigen Chips, etwa für die Telekommunikation, verbaut wird. Im nächsten Schritt wollen die Entwickler von Intel und Qinetiq die Transistoren aber auf herkömmlichem Silizium unterbringen.

Ab 2015 könnten Chips auf Basis von Indium und Antimon in die Fertigungsprozesse Einzug halten, wie ein Sprecher von Intel mitteilte. In dem Wettrennen um immer kleinere und leistungsfähigere Chips experimentieren die Entwickler in der Halbleiterindustrie immer wieder mit verschiedenen Materialien.