Der koreanische IT- und Elektronikkonzern Samsung will mit einem neuen Speichermodul punkten. Der Baustein ist für Server angedacht und nutzt eine neue, selbst weiterentwickelte Technik. Damit wurden dem Unternehmen zufolge in dichtester Bauweise 8 GByte Speichervolumen erreicht.
Dabei werden insgesamt 32 Stück der 2 Gbit umfassenden DDR2 DRAM Chips mithilfe des spezialisierten Logik-Chips ‘Advanced Memory Buffer’ verbunden. So entsteht ein 64 Gbit oder 8 GByte großes Modul. Dieses ist, ersten Meldungen zufolge, das am dichtesten bebaute Modul seiner Art, das derzeit am Markt ist. Die Technik, die Samsung dafür verwendete, heißt ‘Fully Buffered Dual In-line Memory Module’, kurz FB-DIMM.
Dies ist ein industrieweiter Standard für Speicherchiptechnik der nächsten Generation. Damit können Chipfirmen Bausteine konstruieren, deren Datendurchsatz zweimal so schnell ist, wie der der bisher gängigen RDIMM-Technik (Registered DIMM). Konzerne wie Intel setzen ebenfalls ihre Marktmacht hinter die neue Technik. FB-DIMM lebt von der Leistung des Logikchips und soll die Speicherkapazitäten bestehender Chips mit einem Schlag verdoppeln können, so Samsung.
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