Dem Hersteller zufolge sei es gelungen, durch eine neue Designstruktur und andere Materialien die bisherigen Limits zu durchbrechen.
Der NAND-Chip soll in jenen Flash-Speicherchips eingesetzt werden, die durch den Boom an mobilen Unterhaltungsgeräten nach oben geschwemmt werden sollen. Zwar werde der Baustein nicht vor dem Jahr 2008 in Massenproduktion vom Fließband laufen. Doch die Laborwerte sind bei dem Neuling – ersten Messungen zufolge – zufriedenstellend.
Dabei kommt eine Samsung-Entwicklung zum Einsatz, die ‘Charge Trap Flash’ heißt. In diesem Verfahren werden nichtleitende Materialien aus Silizium-Nitrit so eingesetzt, dass sich die Kontrolle und Steuerung des Stromes, der durch den Chip fließt, verbessern lässt. Vor allem in Digitalkameras und digitalen Musikgeräten soll er dann für höhere Kapazitäten sorgen. Denkbar sind dann dem Hersteller zufolge Speicherkarten mit 64 GByte, die entweder 64 Stunden DVD-Filme oder an die 16.000 Musikstücke speichern können.
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