Transphorm
Inc. – Marktführer im Bereich Design und Herstellung der ersten
JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten 650 V- und 900
V-Galliumnitrid-(GaN)-Halbleiter mit höchster Zuverlässigkeit – gab
heute einen Einblick in seinen Markenauftritt auf der PCIM Europe 2019.
In Halle 9, am Stand 519, konzertrierte er sich auf drei Kernpunkte,
damit Konferenzteilnehmer das Hochspannungs-GAN-Versprechen von
Transphorm besser verstehen können:
-
Zuverlässigkeit: Vertrauenswürdiges Design bei der Verwendung
hochwertiger und zuverlässiger (Quality + Reliability, Q+R)
GaN-Transistoren von Transphorm. -
Fahrbarkeit: Kopplung von Transphorm-Geräten mit
handelsüblichen Treibern, um die Fahrbarkeit zu erleichtern. -
Einfachheit: Einfachere Designs durch minimale externe
Gate-Treiberschaltung in Verbindung mit Standardgehäusen wie TO-220,
TO-247 und PQFN mit bekannten Wärmemanagementtechniken.
„Auf der PCIM werden Sie Innovationshöhepunkte von Transphorm
kennenlernen, zusammen mit deren messbaren Auswirkungen auf
Kundenanwendungen mit geringem und hohem Volumen“, so Philip Zuk,
Vizepräsident für weltweites technisches Marketing bei Transphorm. „Wir
haben hart gearbeitet, um GaN-Transistoren herzustellen, die
leistungsstark, hochzuverlässig und benutzerfreundlich sind. Dies führte
dazu, dass GaN-Geräte von Transphorm in mehreren Kundenprodukten
ausgeliefert wurden. Dies wiederum führte zu mehr als 3 Milliarden
Stunden von uns erfassten Daten zur Feldzuverlässigkeit, um Qualität und
Zuverlässigkeit unseres GaN zu validieren – damit unsere Kunden mit
Vertrauen entwickeln können.“
Höhepunkte der Ausstellung:
Quality + Reliability (Qualität und Zuverlässigkeit)
Transphorm
veröffentlichte den branchenweit ersten vollständigen
Q+R-Datensatz, einschließlich Early Lifetime [ELF], Field
Reliability-Daten und FIT-Raten, abgestimmt auf jene von reiferen
Technologien wie SiC. Diese hohe Q+R wird durch das kürzlich
veröffentlichte AEC-Q101-qualifizierte (automotive) Gerät – das TP65H035WSQA
– bei 175 °C bestätigt.
Bewertungsboards und Referenzdesign
Displays beinhalten:
- 2 kW DC zu DC hart geschaltete Halbbrücke
- 1,2 kW DC zu DC LLC Wandler
-
3,3 kW brückenfreies, totem-poliges PFC-Referenzdesign
(Effektive
Plattform für die Entwicklung hocheffizienter DSP-basierter
PFC-Wandler)
Kunden-Anwendungsfälle aus der Produktion
Anwendungsfälle
zeigen die quantitativen und qualitativen Auswirkungen der GaN-Plattform
von Transphorm bei verschiedenen Endanwendungen, von robusten, breiten
industriellen Stromversorgungen bis hin zu hochvolumigen
Batterieladelösungen.
Über Transphorm
Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios (über 1.000 anhängige
Patente weltweit) ist Transphorm
das einzige Unternehmen der Branche, das JEDEC- und
AEC-Q101-qualifizierte GaN-FETs fertigt, entwickelt und produziert.
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